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IRFH3702TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFH3702TR2PBF
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.35V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1510pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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