La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRFBA90N20DPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFBA90N20DPBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-273AA
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 59A, 10V
Disipación de energía (máx.) 650W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SUPER-220™ (TO-273AA)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 240nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6080pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 98A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 40 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.23 $6.11 $5.98
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK39N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
$6.24
IXFP3N120
IXYS
$6.17
IXTH8P50
IXYS
$6.12
TK35A65W5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$6
IXTH6N50D2
IXYS
$6