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IRFB4227PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFB4227PBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 24mOhm @ 46A, 10V
Disipación de energía (máx.) 330W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 98nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2266 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.86 $2.80 $2.75
Mínimo: 1

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