La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRFB3607GPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFB3607GPBF
Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V
Disipación de energía (máx.) 140W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 84nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 75V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3070pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 83 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRF9332PBF
Infineon Technologies
$0
IRF6728MTRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
$0
AUIRLR2703
Infineon Technologies
$0
AUIRLR024N
Infineon Technologies
$0