IRFB31N20DPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRFB31N20DPBF |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 82mOhm @ 18A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220AB |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 107nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2370pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 31A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 1963 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.08 | $2.04 | $2.00 |
Mínimo: 1