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IRF9Z34NPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF9Z34NPBF
Descripción: MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 68W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 35nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 620pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 13491 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.88 $0.86 $0.85
Mínimo: 1

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