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IRF9952TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF9952TRPBF
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base IRF9952PBF
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 190pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.5A, 2.3A

En stock 7214 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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