IRF8915TRPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | IRF8915TRPBF |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 2W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número de pieza base | IRF8915PBF |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 540pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.9A |
En stock 7064 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.80 | $0.78 | $0.77 |
Mínimo: 1