La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF7853TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF7853TRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 4.9V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 39nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1640pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 262 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPC100N04S52R8ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
$0
BSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF7665S2TRPBF
Infineon Technologies
$0
SPB18P06PGATMA1
Infineon Technologies
$0