IRF7807VD2
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRF7807VD2 |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | FETKY™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.3A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
En stock 68 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1