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IRF7779L2TR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF7779L2TR1PBF
Descripción: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET L8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 150nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6660pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 375A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 66 pcs

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