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IRF7665S2TR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF7665S2TR1PBF
Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric SB
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 62mOhm @ 8.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET SB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 515pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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