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IRF7601PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF7601PBF
Descripción: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 700mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Micro8™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

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