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IRF7555TR

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF7555TR
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.25W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Número de pieza base IRF7555
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores Micro8™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1066pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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