Image is for reference only , details as Specifications

IRF7524D1GTRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRF7524D1GTRPBF
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	FETKY™
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	700mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.25W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-uSMD
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	8.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	240pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V