IRF7467
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRF7467 |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 32nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2530pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 11A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
En stock 87 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1