Image is for reference only , details as Specifications

IRF7351PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF7351PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tube
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base IRF7351PBF
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 36nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1330pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NTLUD3191PZTAG
ON Semiconductor
$0
NTLUD3191PZTBG
ON Semiconductor
$0
FW231A-TL-E
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
$0