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IRF7338PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF7338PBF
Descripción: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Tube
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base IRF7338PBF
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 640pF @ 9V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.3A, 3A

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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