La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF7313PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF7313PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tube
Característica FET Standard
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base IRF7313PBF
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.5A

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRF7311PBF
Infineon Technologies
$0
IRF7309PBF
Infineon Technologies
$0
IRF7307PBF
Infineon Technologies
$0
IRF7306PBF
Infineon Technologies
$0
IRF7304PBF
Infineon Technologies
$0