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IRF6668TR1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6668TR1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MZ
Vgs(th) (Max) - Id 4.9V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MZ
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1320pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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