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IRF6665TR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6665TR1PBF
Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric SH
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ SH
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 530pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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