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IRF6641TR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6641TR1PBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MZ
Vgs(th) (Max) - Id 4.9V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MZ
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 48nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2290pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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