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IRF6614TR1PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6614TR1PBF
Descripción: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric ST
Vgs(th) (Max) - Id 2.25V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ ST
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2560pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.7A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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