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IRF6604TR1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6604TR1
Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MQ
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11.5mOhm @ 12A, 7V
Disipación de energía (máx.) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MQ
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 26nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2270pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V

En stock 59 pcs

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