Image is for reference only , details as Specifications

IRF6603TR1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6603TR1
Descripción: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) +20V, -12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MT
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 72nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6590pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 27A (Ta), 92A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

2N7002_NB9G002
ON Semiconductor
$0
HAT2141H-EL-E
Renesas Electronics America
$0
ZVN4210ASTOA
Diodes Incorporated
$0
FDH5500
ON Semiconductor
$0
BS7067N06LS3G
Infineon Technologies
$0