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IRF6100

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6100
Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-FlipFet™
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-FlipFet™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1230pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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