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IRF5810TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRF5810TRPBF
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 960mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de pieza base IRF5810PBF
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.9A

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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