IRF5810TRPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | IRF5810TRPBF |
Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 960mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Número de pieza base | IRF5810PBF |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 650pF @ 16V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.9A |
En stock 99 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1