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IRF5806TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRF5806TRPBF
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	86mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	Micro6™(TSOP-6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	11.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	594pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V