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IRF5802TR

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF5802TR
Descripción: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Micro6™(TSOP-6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 88pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 900mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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