La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF5305PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF5305PBF
Descripción: MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 110W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 63nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3720 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.18 $1.16 $1.13
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FDMS86101A
ON Semiconductor
$2.63
STD5N95K3
STMicroelectronics
$0
SQ4401EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SUD50P08-25L-E3
Vishay / Siliconix
$0