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IRF1902GPBF
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IRF1902GPBF |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 700mV @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 310pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.2A (Ta) |
En stock 70 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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