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IRF135S203

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF135S203
Descripción: MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.4mOhm @ 77A, 10V
Disipación de energía (máx.) 441W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 270nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 135V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9700pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 129A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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