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IRF100P219XKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF100P219XKMA1
Descripción: TRENCH_MOSFETS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 278µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 341W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247AC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 270nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 12020pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 300 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.55 $6.42 $6.29
Mínimo: 1

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