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IPZ40N04S58R4ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPZ40N04S58R4ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.4V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 34W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8-32
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 771pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V

En stock 3308 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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