La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPW65R190E6FKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPW65R190E6FKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 730µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 151W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 73nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1620pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
$0
2SK4116LS
ON Semiconductor
$0
2SK4099LS
ON Semiconductor
$0