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IPW65R110CFDFKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPW65R110CFDFKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1.3mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 277.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 118nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3240pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 503 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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