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IPW65R080CFDAFKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPW65R080CFDAFKSA1
Descripción:	MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 1.76mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	80mOhm @ 17.6A, 10V
Disipación de energía (máx.)	391W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	161nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4440pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	43.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V