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IPW60R055CFD7XKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPW60R055CFD7XKSA1
Descripción:	HIGH POWER_NEW
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 900µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	55mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.)	178W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	79nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3194pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V