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IPU04N03LB G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPU04N03LB G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 70µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 115W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores P-TO251-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 40nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5200pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 50 pcs

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