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IPT60R102G7XTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPT60R102G7XTMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 390µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 102mOhm @ 7.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 141W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HSOF-8-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1320pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3960 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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