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IPSA70R950CEAKMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPSA70R950CEAKMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	950mOhm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO251-3-347
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	15.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	328pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V