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IPS80R2K0P7AKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPS80R2K0P7AKMA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 940mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 24W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO251-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 175pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1465 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.83 $0.81 $0.80
Mínimo: 1

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