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IPS80R1K4P7AKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPS80R1K4P7AKMA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 32W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO251-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.43 $0.42 $0.41
Mínimo: 1

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