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IPS65R1K5CEAKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPS65R1K5CEAKMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 28W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 225pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 95 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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