Image is for reference only , details as Specifications

IPP65R110CFDXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP65R110CFDXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1.3mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 277.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 118nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3240pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 990 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.69 $5.58 $5.46
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIHA24N65EF-E3
Vishay / Siliconix
$5.58
SIHF35N60E-GE3
Vishay / Siliconix
$5.57
STW28N60DM2
STMicroelectronics
$5.48
IRFP4127PBF
Infineon Technologies
$5.48
IPI075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
$5.45