La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPP60R190P6XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP60R190P6XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 630µ
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 151W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1750pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 6221 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.65 $2.60 $2.55
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STB45N40DM2AG
STMicroelectronics
$0
IRF7769L2TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRFP064NPBF
Infineon Technologies
$2.6
IRFP260MPBF
Infineon Technologies
$2.59
IRF5210LPBF
Infineon Technologies
$2.54