Image is for reference only , details as Specifications

IPP114N03L G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP114N03L G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11.4mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 38W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI7485DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7483ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7459DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7411DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7366DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0