La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPP100N06S205AKSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP100N06S205AKSA2
Descripción: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 170nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5110pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP100N04S2L03AKSA2
Infineon Technologies
$0
IPP100N04S204AKSA2
Infineon Technologies
$0
HAT2287WP-EL-E
Renesas Electronics America
$0
HAT2131R-EL-E
Renesas Electronics America
$0
H7N1002LSTL-E
Renesas Electronics America
$0