Image is for reference only , details as Specifications

IPP037N08N3GHKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP037N08N3GHKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 155µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 214W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 117nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8110pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP040N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP045N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP052N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0