La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPP023N08N5AKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP023N08N5AKSA1
Descripción: MOSFET N-CH TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 208µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 166nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 12100pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.54 $2.49 $2.44
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
$2.53
FDP2710-F085
ON Semiconductor
$2.52
FQA9N90-F109
ON Semiconductor
$2.52
IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
$0
IXTP2N100P
IXYS
$2.51